Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH067N65S3-F155
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH067N65S3
FCH067N65S3-F155 Hakkında
FCH067N65S3-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel Power MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, yüksek akım kapasitesi ve düşük gate charge karakteristiği ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 44A sürekli dren akımı ve 67mOhm maksimum RDS(on) değerleri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, inverterler ve motor sürücülerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Gate-source voltajı ±30V'ye kadar dayanabilir ve 312W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3090 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok