Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH060N80-F155
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH060N80
FCH060N80-F155 Hakkında
FCH060N80-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, 800V drain-source gerilimi ve 56A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (60mOhm @ 29A, 10V) ile yüksek verimliliği destekler. Maksimum 500W güç dağıtımı yapabilen bu FET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gücü anahtarlamak için 10V sürücü gerilimi gerekir ve kapı yükü 350nC @ 10V'dur. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, invrtörler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama işlemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14685 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 5.8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok