Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH041N65F
FCH041N65F-F085 Hakkında
FCH041N65F-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 76A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketlemesiyle darbe kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 595W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 304 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13566 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 595W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok