Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH041N65EFL4
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH041N65EFL4
FCH041N65EFL4 Hakkında
FCH041N65EFL4, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 76A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 41mΩ maksimum gate-source direnç (10V'de) ile verimli güç iletim sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 595W maksimum güç dağıtımını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 298 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12560 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 595W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 7.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok