Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCH041N65EF-F155

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCH041N65EF

FCH041N65EF-F155 Hakkında

FCH041N65EF-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 76A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 41mOhm maksimum Ron değerine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate sürüş voltajında çalışır ve 298nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Maksimum 595W güç tüketimi kapasitesiyle enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12560 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok