Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH041N60F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH041N60F
FCH041N60F Hakkında
FCH041N60F, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 76A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer almaktadır. 41mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 595W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 10V gate drive voltajında optimize edilen bu FET, 360nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14365 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 595W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok