Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCH040N65S3-F155

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCH040N65S3

FCH040N65S3-F155 Hakkında

FCH040N65S3-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-247-3 paketi ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 40mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 417W güç dağılımına dayanıklıdır. ±30V gate-source gerilim toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar. Güç denetim devreleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 136nC gate charge ve 4740pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 6.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok