Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH023N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH023N65S3
FCH023N65S3-F155 Hakkında
FCH023N65S3-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 75A sürekli dren akımı ve 23mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 595W güç disipasyonuna sahiptir. Gate charge değeri 222nC olup, hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 222 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7160 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 595W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 37.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 7.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok