Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD9N60NTM
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD9N60NTM
FCD9N60NTM Hakkında
FCD9N60NTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı sürücü geriliminde 385mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) çalışabilir. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 92.6W güç tüketimi kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarına uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 92.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok