Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD900N60Z
FCD900N60Z Hakkında
FCD900N60Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj rating'i ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi, 52W maksimum güç yayılımı ve 900mOhm (10V, 2.3A'da) RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devreleri için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler ve korumalı devre uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 17nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok