Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD850N80Z
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD850N80Z
FCD850N80Z Hakkında
FCD850N80Z, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 6A sürekli dren akımı kapasitesine ve 850mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 29nC ve input capacitance 1315pF @ 100V'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışır, maksimum 75W güç tüketebilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılan bir transistördür. ±20V gate-source gerilim ve 4.5V eşik gerilimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok