Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCD7N60TF

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FCD7N60TF

FCD7N60TF Hakkında

FCD7N60TF, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 7A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, TO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 600mOhm olup, maksimum 83W güç yayımı kapasitesine sahiptir. Gate şarj miktarı 30nC ile düşük sürüş gereksinimlerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj katlayıcı devrelerde kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok