Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD620N60ZF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD620N60ZF
FCD620N60ZF Hakkında
FCD620N60ZF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 620mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilir. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama kaynaklarında ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok