Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0 Hakkında
FCD600N65S3R0, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6A sürekli besleme akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252 (D-PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 600mΩ maksimum kanal direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma yapabilir. Güç kaynakları, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate kapasitesi ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 465 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok