Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD5N60TM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD5N60TM
FCD5N60TM-WS Hakkında
FCD5N60TM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 4.6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey monte paketi içinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüm geriliminde 950mOhm'luk Rds(On) değeri ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 16nC gate yükü ve 600pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maximum 54W güç dağılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok