Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCD5N60TF

MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FCD5N60TF

FCD5N60TF Hakkında

FCD5N60TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 950mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Gate yükü 16nC olup, 10V drive geriliminde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve switching regülatörler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı nedeniyle otomatik üretim hatlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok