Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD5N60-F085
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD5N60
FCD5N60-F085 Hakkında
FCD5N60-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 4.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, anahtar modlu güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 21nC gate charge ve 570pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 54W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Bileşen obsolete durumda olup yedek parça uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok