Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD4N60TM_WS
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD4N60TM
FCD4N60TM_WS Hakkında
FCD4N60TM_WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 3.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum On-Resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı ve ±30V maksimum gate voltajı ile geniş uygulama alanı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok