Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD4N60TF
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD4N60TF
FCD4N60TF Hakkında
FCD4N60TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.9A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω on-direnci, düşük güç kaybı sağlayan tasarımlar için uygundur. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, 50W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 16.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında, güç elektronikleri, switching regülatörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Parça durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok