Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCD380N60E

MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FCD380N60E

FCD380N60E Hakkında

FCD380N60E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj desteği ve 10.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 380mΩ (10V, 5A) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motorlu sürücüler, inverterler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok