Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD360N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0 Hakkında
FCD360N65S3R0, onsemi tarafından üretilen 650V dayanımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 360mΩ Rds(on) değeri ile güç kaybı minimize edilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 83W güç tüketebilir. Gate kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok