Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD3400N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD3400N80Z
FCD3400N80Z Hakkında
FCD3400N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3.4Ω RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, elektrik güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yer alır. TO-252 DPak yüzey montajı paketi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok