Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCD260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCD260N65S3
FCD260N65S3 Hakkında
FCD260N65S3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 260mΩ on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. Endüstriyel denetim sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 24nC gate charge ve 1010pF input capacitance değerleri hızlı switching uygulamaları için uygun özellikler sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok