Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB36N60NTM
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB36N60NTM
FCB36N60NTM Hakkında
FCB36N60NTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. SUPREMO teknolojisine dayalı bu komponent, 600V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 90mΩ maksimum on-direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 312W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok