Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCB36N60NTM

MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FCB36N60NTM

FCB36N60NTM Hakkında

FCB36N60NTM, onsemi tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilim ve 36A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, şarj cihazları, endüstriyel kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 312W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4785 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok