Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB260N65S3
FCB260N65S3 Hakkında
FCB260N65S3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj kapasitesi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 260mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 90W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok