Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB20N60TM
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB20N60TM
FCB20N60TM Hakkında
FCB20N60TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 190mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 208W güç dissipasyonunda tasarlanmıştır. Gate charge değeri 98nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve UPS sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok