Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB20N60-F085
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB20N60
FCB20N60-F085 Hakkında
FCB20N60-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 198mΩ on-state direnci ve 102nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 5V threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok