Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB199N65S3
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB199N65S3
FCB199N65S3 Hakkında
FCB199N65S3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 14A sürekli Drain akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 199mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi devrelerinde, switch mode güç kaynakları (SMPS), motor kontrolü ve endüstriyel enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 30nC Gate charge ve 1225pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok