Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB11N60TM
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB11N60TM
FCB11N60TM Hakkında
FCB11N60TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 10V gate sürüş geriliminde 380mΩ maksimum açık durum direnci (Rds On) ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, SMPS güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 125W maksimum güç tüketimi ile termal yönetim gerektirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok