Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB11N60FTM
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB11N60FTM
FCB11N60FTM Hakkında
FCB11N60FTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygun hale getirilmiştir. 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 52nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemi mümkündür. 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile termal tasarımda esneklik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok