Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB110N65F
FCB110N65F Hakkında
FCB110N65F, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan bu komponentin maksimum 110mΩ on-resistance değeri düşük güç kaybı sağlar. 145nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve IGBT driver uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı ve maksimum 357W güç dağılımı kapasitesi ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4895 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok