Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCB099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCB099N65S3
FCB099N65S3 Hakkında
FCB099N65S3, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj dayanımı ile endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi sayesinde yüksek güç uygulamalarında etkin şekilde çalışabilir. 99mOhm on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketlemesi compact PCB tasarımına olanak sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Güç kaynakları, solar inverterleri ve elektrik motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2480 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 740µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok