Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCA35N60

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FCA35N60

FCA35N60 Hakkında

FCA35N60, onsemi tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 35A sürekli drain akımı ve 98mOhm (10V, 17.5A) on-resistance özellikleriyle tasarlanmıştır. 181nC gate charge ve 6640pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. ±30V gate-source gerilimi toleransı ile geniş kontrol aralığı sunar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygun bu transistör, yüksek gerilim güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve indüktif yük anahtarlamada tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB uygulamalarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6640 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 312.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok