Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCA20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCA20N60
FCA20N60 Hakkında
FCA20N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, 190mOhm (10A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alır. 98nC gate charge ve 3080pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 208W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok