Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCA20N60-F109
DISCRETE MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCA20N60
FCA20N60-F109 Hakkında
FCA20N60-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-3PN paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 208W güç dissipasyonuna dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok