Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FBG30N04CC
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FBG30N04CC
FBG30N04CC Hakkında
FBG30N04CC, EPC Space tarafından üretilen 300V/4A kapasiteli GaN FET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanmış bu HEMT (High Electron Mobility Transistor) bileşeni, 404mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konma direncine sahiptir. 5V gate drive voltajında çalışan cihaz, 2.6nC gate charge ve 450pF input kapasitans karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, 4-SMD no-lead yüzey montajlı pakette sunulan FBG30N04CC, güç dönüştürme, DC-DC converterleri, inverterler ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde uygulanır. COTS (Commercial Off-The-Shelf) ürün olarak space ve savunma uygulamalarında da kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 150 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 404mOhm @ 4A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok