Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FBG20N18BC
FBG20N18BC Hakkında
FBG20N18BC, EPC Space tarafından üretilen 200V/18A kapasiteli N-Channel GaNFET (Gallium Nitride FET) transistördür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu HEMT bileşeni, düşük anahtarlama kaybı ve yüksek anahtarlama hızı özellikleriyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 26mOhm on-state direnci (Rds On) ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, invertörler, sunucu güç kaynakları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilir. 6nC gate charge ve 900pF input kapasitans değerleriyle hızlı ve kontrollü anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 18A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok