Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FBG10N30BC
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FBG10N30BC
FBG10N30BC Hakkında
FBG10N30BC, EPC Space tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. 11nC gate charge ve 1000pF input kapasitans özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Şarj cihazları, inverterler, güç kaynakları ve RF amplifikasyon gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok