Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FBG10N05AC
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FBG10N05AC
FBG10N05AC Hakkında
FBG10N05AC, EPC Space tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisinde bir güç transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 44mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük açılış direnci sağlar. 2.2nC gate charge ve 233pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 5V gate voltajı ile sürülür. Surface mount 4-SMD pakajda sunulur ve güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devreleri ve RF uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 233 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 5A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok