Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FBG04N30BC
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FBG04N30BC
FBG04N30BC Hakkında
FBG04N30BC, EPC Space tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 40V drenaj-kaynak gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı ile düşük kayıpla yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 6mΩ maksimum Rds On değeri ile verimli enerji dönüştürme sağlar. 4-SMD yükseltici paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücü gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok