Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FBG04N08AC
GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FBG04N08AC
FBG04N08AC Hakkında
FBG04N08AC, EPC Space tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 8A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Düşük on-direnci (24mΩ @ 8A, 5V) sayesinde enerji kaybı minimalize edilir. GaNFET teknolojisi, yüksek frekans uygulamalarında hızlı anahtarlama ve verimli güç dönüşümü sağlar. 4-SMD yüzey montajlı gövdede paketlenmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve RF amplifikatörlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 312 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok