Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ES6U2T2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES6U2T2R
ES6U2T2R Hakkında
ES6U2T2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180mΩ on-state direnci (4.5V gate geriliminde) düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot ile hazırlanmış olan bu transistör, anahtarlama hızını artırır ve ters akım kayıplarını azaltır. 6-SMD flat lead paket içinde sunulan ES6U2T2R, motor kontrol, LED sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 700mW güç disipasyonu kapasitesi ile kompakt tasarımlarda entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok