Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ES6U1T2R
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES6U1T2R
ES6U1T2R Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen ES6U1T2R, P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.3A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. 260mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyod özelliğine sahip olup, anahtarlama uygulamalarında ve güç denetim devrelerinde kullanılır. 290pF giriş kapasitansı (Ciss) ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. Surface mount 6-WEMT pakajında sunulmakta olup, 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. Düşük gerilim anahtarlama, motor kontrolü, güç yönetimi ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WEMT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok