Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC8010
EPC8010 Hakkında
EPC8010, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel FET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Die formunda sunulan bu bileşen, düşük gate charge (0.48 nC @ 5V) ve 160mΩ on-resistance (Rds On) değerleriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, anahtarlamalı regülatörler ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.48 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok