Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC8009
GANFET N-CH 65V 4A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC8009
EPC8009 Hakkında
EPC8009, GaN (Gallium Nitride) teknolojisi kullanılarak üretilen N-Channel FET transistördür. 65V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Die formunda sunulan bu bileşen, 5V sürüş geriliminde 130mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 0.45nC gate charge ve 52pF input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışan EPC8009, güç dönüştürme, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve RF uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok