Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

EPC8004

GANFET N-CH 40V 4A DIE

Üretici
EPC
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
EPC8004

EPC8004 Hakkında

EPC8004, EPC tarafından üretilen Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu die bileşeni, düşük gate charge ve input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 110mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount uygulamalarında entegre edilebilen bu bileşen, -40°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve RF amplifikatörü gibi yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 52 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 500mA, 5V
Supplier Device Package Die
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) +6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok