Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC8002
EPC8002 Hakkında
EPC8002, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-channel FET transistördür. 65V drain-source voltaj (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 530mOhm'luk kapalı durum direnç değeri (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. Die (çip) formunda sunulan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. 5V gate drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21 pF @ 32.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 500mA, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok