Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC7014UBC
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
- Üretici
- EPC Space
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC7014
EPC7014UBC Hakkında
EPC7014UBC, EPC Space tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) tabanlı bir HEMT transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek frekanslı ve düşük güç kayıplı uygulamalar için kullanılır. 5V gate drive voltajında 580mΩ maksimum on-dirençi ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanım imkanı sağlar. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu FET, güç dönüştürücüler, RF amplifikatörler ve hızlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580mOhm @ 1A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok