Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
EPC2302ENGRT
TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
- Üretici
- EPC
- Paket/Kılıf
- 7-PowerWQFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- EPC2302
EPC2302ENGRT Hakkında
EPC2302ENGRT, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir N-Channel FET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 101A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 1.8mΩ (50A, 5V) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. GaN FET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük kapasitans ve yüksek verimlilik sunar. Açık-kapalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 7-PowerWQFN (3x5) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 101A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 7-PowerWQFN |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 50A, 5V |
| Supplier Device Package | 7-QFN (3x5) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok